Как правильно соединять транзисторы. На реальных примерах.

Полевой транзистор MOSFET управляется потенциалом или напряжением. Биполярный транзистор является токовым полупроводниковым прибором, и для его управления необходимо, чтобы протекал ток на переходе база‑эмиттер. Поэтому при соединении нескольких единиц полупроводниковых ключей разных типов предъявляются разные требования. Последовательное соединение транзисторов не допускается, так как разброс характеристик даже одного изделия из одной партии приводит к тому, что один из транзисторов откроется быстрее, и к оставшемуся ключу будет приложена большая доля напряжения, что вызывает его пробой и последующий пробой остальных. При параллельном соединении биполярных транзисторов в цепь эмиттера устанавливается токовыравнивающий резистор, благодаря чему токи, протекающие через коллектор‑эмиттер, выравниваются. Неравномерность токов вызвана расхождением напряжения насыщения параллельно соединенных приборов; сопротивление эмиттерного резистора обычно составляет единицы и десятые ом, при этом часть мощности теряется на токовыравнивающих резисторах. Параллельное соединение полевых транзисторов MOSFET не требует применения вышеуказанных мер, поскольку сопротивление канала MOSFET одной серии практически совпадает, и суммарный ток поровну делится между параллельно соединенными транзисторами, что устраняет необходимость в выравнивающих резисторах.